Descripción
El transistor 2N7000 es un dispositivo de tipo MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor) N-channel, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos. Con una tensión de drenaje a fuente de hasta 60V y una corriente de drenaje de 200mA, este transistor ofrece un rendimiento eficiente y confiable. Su encapsulado TO-92 facilita la integración en prototipos y proyectos. Perfecto para aficionados y profesionales, el 2N7000 es esencial en el diseño de circuitos digitales y analógicos.
Características:
- Polaridad: Canal N
- VDS: 60 V
- VGS: 2.1 V
- ID: 200 mA
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